Transistores todo lo que se puede saber

TRANSISTORES.

Antes de 1950 todo equipo electrónico utilizaba válvulas al vacío, que son bulbos con un brillo te-nue, que predominaban en la industria. El calefactor de una válvula al vacío normal consumía un par de watts, por lo que el equipo requería una el primer transistor de unión, que fue todo un aconte-cimiento porque significó un gran cambio. El impacto del transistor en la electrónica ha sido enorme, pues además de fuente de alimentación voluminosa que generaba una cantidad considerable de calor, lo cual preocupaba sobremanera a los diseñadores. El resultado era un equipo anticuado y pesado. En 1951 Shockley inventó iniciar la industria multinúllonaria de los semiconductores, ha sido el precursor de otros inventos como son los circuitos integrados, los dispositivos optoelectróni-cos y los microprocesadores. Actualmente, casi todo equipo electrónico utiliza dispositivos semi-conductores. Los cambios han sido más notables en la industria de las computadoras.

Un transistor puede considerarse formado por dos diodos semiconductores con una zona común. En un transistor existen, por consiguiente, tres terminales. La zona común se denomina base y las dos zonas exteriores en contacto con la base son el emisor y el colector.
Para que el transistor funcione correctamente, la unión correspondiente al diodo emisor-base debe polarizarse en sentido directo, mientras que la unión correspondiente al colector-base ha de estar polarizada en sentido inverso.
Si se conecta únicamente el circuito emisor-base, con dolarización directa, se establece una circula-ción eléctrica desde el emisor a la base a través de la unión. Desconectando la alimentación en el circuito emisor-base y comunicando el conector-base con dolarización en sentido inverso, la circu-lación será prácticamente ambas uniones emisor-base y colector-base, se establecerá una corriente entre el emisor y el colector. Dicha corriente esta determinada por la tensión positiva del emisor y la negativa del colector, siempre con relación a la base.
El factor de amplificación de corriente de in transistor es la relación entre la corriente de colector y la del emisor.
La característica del transistor en virtud de la cual, al vaciar la tensión del emisor, se pueden obtener variaciones en la corriente del colector, comporta que pueda comparársele con una válvula termoió-nica. El emisor, la base y el colector del transistor pueden identificarse con el cátodo, rejilla y ánodo de tríodo, respectivamente.
Hay dos tipos de transistores:
ESTUDIO DEL TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor convencional o bipolar se denomina así porque en su funcionamiento intervienen co-rrientes de huecos, o de carga positiva, y de electrones, o de carga negativa. Otros dispositivos como los FET se denominan monopolares porque sólo hay corrientes de un tipo.
Los terminales del transistor reciben el nombre de emisor, colector y base. La base es el terminal que está unido a la zona intermedia del transistor. Las tres partes del transistor se diferencian por el distinto nivel de dopaje; la zona de menor dopaje es la base, a continuación se encuentra el colector y por último el emisor.
Estudio de las corrientes
El análisis del transistor se realizará para una estructura NPN, y es análogo para el PNP.
Un transistor sin polarizar se comporta como dos diodos en contraposición, y no existen corrientes notables circulantes por él. Si se polariza, aparecen tres corrientes distintas, la corriente de base, IB, corriente de emisor, IE, y por último la corriente de colector, IC. En la figura siguiente están dibuja-das estas corrientes según convenio, positivas hacia adentro:
Transistores todo lo que se puede saber
Corriente en un transistor.
De estas tres corrientes, la del emisor es la más grande, puesto que éste se comporta como fuente de electrones. La corriente de base es muy pequeña, no suele llegar al 1% de la corriente de colector.
Aplicando la ley de Kirchoff se tiene la siguiente relación:
IB + IC - IE = 0 ; IE = IB + IC
Existen dos parámetros que relacionan las distintas corrientes, el coeficiente alfa para continua, , y la ganancia de corriente beta, .
El factor Alfa. Es el cociente entre la intensidad de colector y la de emisor. Su valor nunca será superior a la unidad y da idea de hasta qué punto son iguales estas corrientes.
 = IC / IE
El valor de a suele ser superior a 0,95, y en muchos casos es mayor de 0,99, por ello para mayor simplicidad de cálculos se suele tomar a = 1.
El factor Beta. La ganancia de corriente b se define como el cociente entre la corriente de colector y la de base.
 = IC / IB
Para transistores de baja potencia  tiene valores entre 100 y 300.
Relación entre  y . Partiendo de la ecuación de las corrientes, IE = IB + IC, si se divide ambos términos por IC, se tiene que:
IE / IC = 1 + (IB / IC) teniendo en cuenta que IC / IB =  y IC / IE =  se tiene 1 /  = 1 + 1 / 
despejando  de la ecuación anterior:
 =  / 1-

Configuraciones
Dependiendo de cuál sea el terminal común a la entrada y a la salida del transistor, se distinguen tres tipos de configuraciones:
Configuración en base común. La base constituye el terminal común a la entrada y a la salida, se encuentra unida a masa. La ganancia en corriente de este circuito es la unidad, pero sin embargo la ganancia en tensión puede ser muy alta y, por lo tanto, también la ganancia en potencia. Esta confi-guración presenta muy poca realimentación entre la entrada y la salida, por lo que se emplea espe-cialmente en circuitos de frecuencias altas o muy altas.
Configuración en emisor común. El emisor está unido a tierra. La ganancia en corriente es alta (la Beta del transistor), la ganancia en tensión y en potencia (dependiente de la carga de colector) es igualmente alta. Es la configuración más utilizada.




Configuración en colector común. En este caso, el terminal que está conectado a masa es el colec-tor. La entrada se aplica a la base, como en las configuraciones anteriores y la carga entre el emisor y masa. Esta configuración tiene una ganancia en corriente de la beta del transistor, la ganancia en tensión es muy parecida, pero inferior a la unidad, y la ganancia en potencia es aproximadamente la beta del transistor. Esta configuración se llama también seguidor de emisor; se emplea para aislar o adaptar impedancias, ya que el circuito de base ofrece a la señal una impedancia beta veces inferior a la que se encuentra en el emisor. Se conoce como seguidor de emisor porque la tensión en el emisor "sigue" a la de base.

electronica
Configuraciones básicas de empleo de un transistor.

Curvas características
Un transistor en régimen estático se encuentra, solamente, bajo la acción de las tensiones continuas que se le aplican para polarizarle. Una forma de resumir este funcionamiento es utilizar las curvas características del transistor, que relacionan las tensiones y las corrientes. Las tensiones y corrientes que se utilizan dependen de la configuración del transistor, pero independientemente de ésta, se dis-tinguen dos tipos de curvas: la característica de entrada y la característica de salida.
a) Características de entrada
La característica de entrada relaciona dos magnitudes de entrada con una de salida. En el caso de la configuración en emisor común se tiene la corriente de base en función de la tensión base-emisor, para distintos valores de tensión colector- emisor. La corriente de base y la tensión base-emisor son variables de entrada, mientras que la tensión colector-emisor es una magnitud de salida.
Si se tiene una configuración en base común, su característica de entrada relacionará la corriente del emisor con la tensión emisor-base, utilizando la tensión colector-base como parámetro. La corriente de emisor y la tensión emisor-base con las magnitudes de entrada.
La figura muestra las diferentes características de entrada de dos transistores NPN de germanio y silicio respectivamente en función del voltaje base-emisor para dos valores del voltaje colector. emi-sor.

tipos
Características típicas de transistores.

b) Características de salida
La característica de salida tiene dos de las tres magnitudes pertenecientes al circuito de salida. Las curvas que relacionan la corriente de colector, la de base y la tensión emisor-colector son caracterís-ticas de salida en configuración emisor-común, mientras que las que relacionan la corriente de emi-sor, la de colector y la tensión colector-base son las curvas correspondientes a una configuración en base común.
funcionamiento
Familia de curvas de corriente colector.




Zonas de funcionamiento
Un transistor bipolar puede funcionar de tres formas diferentes dependiendo de la polarización que tengan las dos uniones, base-emisor y base-colector. Estas zonas se pueden observar en la familia de curvas características de salida de un transistor como se muestra en la figura.
Zona de corte. Para un transistor de silicio, Vbe es inferior a 0,6 V (para germanio 0,2 V), ambas uniones están polarizadas en sentido inverso y las intensidades en los terminales se pueden conside-rar despreciables. En otras palabras, la tensión de base no es lo suficientemente alta para que circule corriente por la unión base emisor, por lo que la corriente de colector es igualmente despreciable.
Zona activa. La unión base-emisor está polarizada en sentido directo (Vbe > 0,6 V) y la unión co-lectora lo está en sentido inverso, la corriente inversa que circula en la unión de colector es beta ve-ces la corriente que circula en sentido directo base emisor. Esta zona es muy importante, puesto que el transistor funciona en ella cuando se utiliza para amplificar señales.
Zona de saturación. Ambas uniones, emisora y colectora, están polarizadas en sentido directo. La corriente base-emisor es muy grande, por lo que la corriente de colector lo es igualmente grande. Se dice que ha entrado en saturación si el voltaje del colector es inferior a la tensión base-emisor.
Limites de los transistores
En la hoja de características de un transistor aparecen una serie de valores que deben ser respetados si no se quiere que el transistor se destruya o pierda sus propiedades. Aunque estas características están comentadas para los transistores bipolares, las de los transistores unipolares son muy similares.
Corriente máxima de colector
Esta corriente viene limitada por la superficie de la unión y por los conductores que conectan los terminales del transistor con los terminales exteriores. En algunos componentes se especifican los valores que puede soportar un dispositivo de manera continua. Estos valores que están condiciona-dos por problemas térmicos pueden excederse durante tiempos muy cortos si exceder los valores promedio sin grandes contratiempos.
Máxima potencia disipada
La potencia que puede disipar un transistor esta condicionada por la máxima temperatura que puede soportar la unión semiconductora colector-base, ya que como en todo diodo la corriente inversa cre-ce con la temperatura. Para que la temperatura de esta unión no supere los valores permitidos, que suele estar hacia 125 ºC en el silicio y los 85 ºC en el germanio, debe proveerse de dispositivos que extraigan al exterior el calor generado en las uniones. Los pequeños transistores discretos de silicio que se utilizan en circuitería electrónica, tienen una superficie semiconductora de 1 o 2 mm2 y pue-den llegar a disipar 0,25 W de calor sin que la temperatura de la unión supere los valores permitidos. Acoplando un pequeño radiador unido térmicamente a la carcasa del transistor puede llegarse hasta 1 W. Los transistores de media potencia (de 1 a 25 w) suelen ser de mayor tamaño ( 4 a lo mm2 ) y disponen de tornillos para acoplarse térmicamente a radiadores. Los transistores de altas potencias (125 W y más) tienen superficies de semiconductor del orden de 25 mm2, soldadas a gruesas láminas de cobre con tornillos para una robusta fijación al radiador.
El las características de los transistores de potencia se suele señalar una curva llamada área segura de trabajo, una combinación de voltaje y corriente colector emisor que en caso de superarse supone la destrucción del dispositivo.
Tensión máxima
Es la máxima tensión de polarización inversa que puede aplicarse al transistor. Este valor tiene que estar indicado para evitar que el transistor entre en la zona de ruptura, en la cual el dispositivo sería destruido por un exceso de tensión. Antes de que el transistor entre en la zona de ruptura, algunos transistores manifiestan un fenómeno singular conocido como avalancha. El transistor soporta sin grandes fugas una alta tensión mientras no circula corriente de base. Pero en el momento que co-mienza a circular una pequeña corriente por la base el transistor entra en conducción total. Si no existe limitación el la corriente de colector el transistor es destruido. Por el contrario, este fenómeno con limitación de corriente puede aprovecharse para obtener altos valores de corriente en generado-res de pulsos para diodos láser y otras aplicaciones sofisticadas.
Frecuencia de transición (Ft)
Es una característica del comportamiento del transistor respecto a la frecuencia. La frecuencia de transición también llamado producto de ganancia por ancho de banda, determina el punto al cual la ganancia en corriente del transistor para esa frecuencia (bf) es la unidad. En otras palabras la fre-cuencia hasta la cual puede obtenerse ganancia de potencia del transistor cuando se emplea como amplificador. Con este parámetro se especifica la capacidad del transistor para trabajar a altas fre-cuencias.
Tiempo de conmutación
En circuitos lógicos o digitales, el transistor generalmente se encuentra en uno de dos estados, corte (no conduce) y saturación (conduce totalmente). El paso de un estado a otro no es instantáneo por-que el transistor no es un dispositivo ideal, sino que requiere un tiempo. Cuanto menores son los tiempos para cambiar de estado, mas rápido es el transistor.

TRANSISTORES UNIPOLARES
El funcionamiento de los transistores bipolares expuesto anteriormente está basado en el movimiento de dos tipos de cargas, electrones y huecos, de ahí el prefijo ´bi-´; además, las uniones PN se po-larizan en sentido directo e inverso. Otro tipo de transistores muy importante son los unipolares que se basan en el movimiento de un solo tipo de cargas, electrones o huecos, por ello el prefijo ´uni-´. En este tipo de transistor, las uniones PN se polarizan siempre en inverso. El funcionamiento de estos transistores es significativamente diferente a los bipolares.
Los transistores unipolares se dividen en dos grupos, los transistores de unión de efecto de campo, JFET o FET, que a su vez se dividen en transistores de canal N y transistores de canal P, y los tran-sistores metal-óxido-semiconductor de efecto de campo o MOSFET. Dentro de este grupo se distin-guen dos subgrupos, MOSFET de enriquecimiento y MOSFET de empobrecimiento, que se dividen al igual que los FET en canal N y canal P. La figura a continuación muestra la simbología para los diferentes tipos de transistores.
apunte
Símbolos de diferentes transistores de efecto de campo.

Transistores JFET
Este transistor está formado por una pastilla de semiconductor tipo N, en la cual se difunden dos zonas de semiconductor tipo P. La difusión puede hacerse utilizando una sola cara, o bien, utilizan-do ambas. En la figura siguiente se observa la estructura esquemática de este transistor. Si en lugar de utilizar una pastilla de semiconductor tipo N se utiliza una de P y se difunden dos zonas N, se obtiene un transistor FET de canal P.
transistor
Esquema de un transistor de efecto de campo.

Este transistor posee, al igual que el bipolar, 3 terminales, que se denominan fuente (source), dre-naje (drain) y puerta (gate).
Drenaje y fuente: Son los terminales que están unidos a la pastilla de semiconductor (N o P). Los portadores mayoritarios salen por el drenaje y entran por la fuente. Se denominan por las letras D y S respectivamente. La conducción entre estos dos terminales se comporta como la de una resistencia cuyo valor esta controlado por la tensión de puerta.
Puerta: Se corresponde con las zonas difundidas. Se comporta como la de un diodo polarizado en inverso, por lo tanto presenta una alta resistencia de entrada y casi no circula corriente por ella. Si están las dos unidas interiormente y se tiene accesible un solo terminal, se tiene un FET de una puer-ta, y si están separadas, un transistor FET de dos puertas. La puerta se representa por la letra G del inglés gate.
Los transistores FET tienen un comportamiento muy similar a las válvulas de vacío; se suele decir que son dispositivos de transconductancia en los que la corriente esta controlada por la tensión de puerta. Los componentes discretos se emplean en etapas de entrada de amplificadores operacionales por su alta impedancia de entrada, linealidad y bajo ruido. Los dispositivos de potencia se usan ven-tajosamente para sustituir transistores convencionales en las etapas de potencia ya que son más rápi-dos, más robustos y carentes de fenómenos de embalamiento térmico. Se emplean en conmutación de potencia debido a sus bajas resistencias internas de conducción.
Transistores MOSFET
La construcción y estructura de estos dispositivos es muy similar al FET e igualmente sus electrodos se denominan puerta, drenaje y fuente. La diferencia se encuentra en que la puerta está aislada del canal mediante una capa de óxido de silicio (SiO2). Estos transistores reciben, también, el nombre de IGFET (del inglés insulated gate, “puerta aislada”).
MOSFET de empobrecimiento. La estructura de este tipo de MOSFET está representada en la siguiente figura. En una pastilla de material N, se difunde una zona p denominada sustrato. En este caso se tiene un MOSFET canal P, si se hace a la inversa se obtendrá un MOSFET canal N. Este tipo de transistor apenas se utiliza, pero su importancia radica en que fue el primer paso para el MOSFET de enriquecimiento, de gran importancia en electrónica digital y en los ordenadores.
explicaion
Mosfet de empobrecimiento.
MOSFET de enriquecimiento. La diferencia con el transistor de empobrecimiento esta en que en la pastilla de semiconductor N se difunden dos zonas tipo P, para el transistor de canal P.
Transistores todo lo que se puede saber
Corte esquemático de un transistor Mosfet.
Los transistores MOSFET, se emplean ventajosamente en etapas amplificadoras y mezcladoras de radiofrecuencia. Dispositivos construidos con arseniuro de galio como material base se emplean en amplificadores de potencia en radiofrecuencia hasta frecuencias de más de 35 Ghz. Los pares com-plementarios CMOS constituyen el elemento básico de los circuitos integrados digitales de la familia lógica CMOS. Con esta tecnología se fabrican actualmente la mayoría de los circuitos digitales de los ordenadores personales.
Transistor uniunión
Éste es dispositivo muy peculiar relativamente poco utilizado, porque sólo encuentra aplicación en los osciladores de relajación. Consta de una barrita de material semiconductor tipo N (aunque este es el caso típico puede darse la configuración inversa) con dos terminales en sus extremos denominados base 1 y base 2. Aproximadamente en la mitad se realiza una unión de tipo P con otro terminal de salida denominado emisor. La barita semiconductora tiene pocos portadores y ofrece mucha resistencia al paso de la corriente mientras la unión está polarizada en sentido inverso lo que ocurre cuando el voltaje del emisor es inferior a 1/2 (Vb2-Vb1 0,65 V). Cuando el voltaje del emisor supera este umbral, intecta portadores hacia la base, con lo cual aumenta la conductividad de la barita y del diodo emisor-base1. Esta situación se mantiene en tanto no se corte la corriente a través de este diodo.
Circuitos con transistores
Circuitos de polarización de transistores
Para que un transistor funcione, bien en la zona de amplificación, en la de corte o en la de saturación, debe estar polarizado adecuadamente. Existen dos tipos de polarización, la de base y la de emisor. La polarización de base se utiliza en circuitos digitales, en los cuales el transistor trabaja en corte o en saturación. La polarización de emisor se utiliza en circuitos amplificadores.
Polarizacion de base
La polarización de base se corresponde a un circuito como el de la figura 1 a). En este circuito se están utilizando dos fuentes de alimentación, pero usualmente sólo se dispone de una, con lo que el circuito pasa a tomar la forma representada en la figura 1 b).
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Fig 1. Polarización simplificada de un transistor.
Este tipo de polarización tiene el inconveniente de la fluctuación del punto de funcionamiento, pro-ducido por la variación de la ganancia. La figura nº 2 muestra la característica de salida de un tran-sistor con polarización de base, en la cual se ha dibujado la recta de carga, en la cual están situados todos los posibles puntos de funcionamiento del transistor.
Para el cálculo de la recta de carga, únicamente hay que considerar:
- Punto de corte con el eje de ordenadas. Es precisamente la corriente de saturación del transistor, para su calculo se debe de poner en cortocircuito los terminales colector-emisor y calcular la corriente que circula por el colector. Para los circuitos de las figura 1 este punto será Isat = Vcc/Rc.
- Punto de corte con el eje de abscisas. Se corresponde con la tensión de corte o máxima tensión colector-emisor que se puede alcanzar. Para su cálculo, basta con abrir los terminales colector-emisor y calcular la tensión colector-emisor. Para el circuito considerado este valor es VCE(corte) = Vcc.
tipos
Fig. 2. Característica de salida de un transistor.
Teniendo en cuenta todo lo anterior, a continuación se estudia la variación el punto de funciona-miento con la ganancia.
Considérense, en primer lugar, que el circuito de la figura nº 1 posee una ganancia b, para unas con-diciones determinadas. El punto de funcionamiento Q vendrá dado por una corriente de colector Ic =b .IB y por una tensión colector emisor, VCE = Vcc - Rc. b .IB, tal como se muestra en la figura nº 2. Supóngase ahora que, por efecto de la temperatura, la ganancia toma un valor b´ < b . En estas con-diciones se tiene un nuevo punto de funcionamiento Q´ tal que Ic´ = b´.IB y VCE´= Vcc - Rc. b´.IB, como Ic´< Ic se tiene que VCE´> VCE.
La ganancia de un transistor varía a causa de las tolerancias de fabricación, de la temperatura y de las condiciones de funcionamiento del propio transistor. Debido a esto en las hojas de características aparece un valor máximo y uno mínimo para la ganancia en corriente continua. Esto no es adecuado para la producción en serie. Lo que se necesita es un circuito de polarización en el cual su punto de funcionamiento se puede predecir independientemente de los cambios de temperatura del transistor, etc. Este circuito es la polarización de emisor.
Un circuito con transistores que tenga polarización de base tiene sus aplicaciones en los circuitos digitales y de conmutación; o sea, en aquellos que no importa el valor exacto de la ganancia de co-rriente. Pero cuando se quieren amplificadores, es necesario un circuito de polarización que sea in-mune a las variaciones de la ganancia de corriente.
Polarización de emisor
Este circuito tiene el aspecto básico de la figura 3. Con este diseño el punto de funcionamiento no fluctúa con las variaciones de ganancia.
funcionamiento
Fig 3. Estabilización con resistencia de emisor.


Si en esta caso se calcula los puntos de funcionamiento para dos ganancias diferentes, b y b´, se verá que el punto de funcionamiento no varía.
Punto de funcionamiento para ganancia b.
Teniendo en cuenta que Ic es aproximadamente igual a IE, se tiene un valor para la corriente de emi-sor: IE = VBB/ RE, considerando el diodo del emisor como ideal. En caso de que se considere que caen en el emisor 0.7 v, el numerador de la expresión anterior valdría VBB - 0.7
La tensión colector-emisor viene dada por la expresión:
VCE = Vcc - IC•VBB- 0.7
- Punto de funcionamiento para ganancia b´.
Como para este circuito IE es constante, para este nuevo valor de ganancia, se tiene el mismo valor de corriente de emisor, luego el punto de funcionamiento permanece constante.
Aunque se considere que
IC = (B / B + 1) • IE
se puede demostrar que el punto de funcionamiento permanece prácticamente constante para gran-des variaciones de b.
Polarización con divisor de tensión
En ocasiones, la tensión de la fuente de alimentación es demasiado elevada para aplicarla directa-mente en la base del transistor. Como diseñar otra fuente es demasiado costoso se recorre a la utili-zación de un divisor de tensión. Lo que se hace es intercalar resistencias para reducir el nivel de tensión. El circuito de la figura 4 muestra un circuito de polarización de emisor por división de ten-sión. Se puede observar, que la tensión que se aplica en este caso entre base y masa es la que cae en la resistencia R2.
En este circuito con Vcc, R1, R2 y Rc se controla la corriente de saturación y la tensión de corte. Una vez elegidos estos valores, se elige la resistencia del emisor para situar el punto de funciona-miento Q a lo largo de cualquier punto de la recta.
apunte
Fig 4. Polarización con divisor de tensión.

Circuitos amplificadores
Cuando un transistor se ha polarizado con un punto de funcionamiento próximo al punto medio de la recta de carga, y se aplica una pequeña señal alterna a la base del transistor, en el colector se tiene la misma señal que en la base, pero de con una amplitud mayor. Antes de pasar a ver el funciona-miento básico de un circuito amplificador, conviene tener claros los conceptos de condensador de acoplo y desacoplo que se exponen a continuación.
Acoplo por condensadores
La oposición que presenta un condensador al paso de la corriente depende de su frecuencia. Esto se puede justificar porque:
iX = 1 / (2pfC)
y como se observa en la expresión a mayor frecuencia menor Xc. Según esto, un condensador a altas frecuencias se comporta como un cortocircuito y a bajas como un circuito abierto, si se considera alta frecuencia a un valor 10 superior a la frecuencia de corte.
Condensador de acoplo. Un condensador de acoplo transmite una señal de alterna de un nudo a otro del circuito. La figura 5 muestra un condensador de acoplo. El condensador debe comportarse como un cortocircuito para alterna, a la frecuencia más baja que pueda tener el generador, es decir, si se tiene un generador que varia entre 100 Hz y 10 KHz, el condensador tiene que ser un cortocir-cuito para la frecuencia de 100 Hz.

transistor
Fig. 5. Condensador de acoplo.
Condensador de desacoplo. La figura 6 representa un condensador de desacoplo. Lo que se consi-gue con este montaje es que la corriente alterna no pase por la resistencia. Como el condensador es un cortocircuito para altas frecuencias la corriente alterna fluye por él y se deriva a tierra.
explicaion
Fig. nº 6. Condensador de desacoplo
Circuito en emisor común
La figura 7 representa un amplificador en emisor común. En este circuito, la tensión colector-emisor es la misma que Vg, pero de mayor amplitud. Hay que tener claro que en este circuito hay dos tipos de tensión, continua y alterna. El circuito tiene un comportamiento diferente para cada una de ellas. Para continua, todos los condensadores son circuitos abiertos, y para alterna, todos son cortocircui-tos.
La fuente de señal Vg está aplicada a la base del transistor através del condensador C1. En el emisor se tiene una señal igual a la de la base y en fase con ella. La corriente de señal que circula por el colector, se puede considerar igual a la del emisor. Cuando esta corriente circula por Rc, produce una señal en el colector. Esta señal amplificada está desfasada 180º con respecto a la tensión de entrada.
Se define como ganancia de tensión de un amplificador al cociente entre la tensión de salida y la de entrada.
Transistores todo lo que se puede saber
Fig 7. Circuito en emisor común.[/font]

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34 comentarios

@Colifo_ Hace más de 5 años +4
:buenpos: me da paja leer del libro... mejor la leo de aca...jajaj
@due204 Hace más de 5 años +1
Esta bueno.
te falto el tran. con diodo damper
@thunderlink Hace más de 5 años
estaba buscando una tarea de esto mismo
@ramonleon24 Hace más de 5 años
sos groso!!! debes saberlo!!!
@LasmanosdePeron Hace más de 5 años
Resumido, eso es como mi politica de choripan social!!!!
gracias me re sirve
@jhvz666 Hace más de 5 años
@Sxtreme Hace más de 5 años -8
PETE NO ME SIRVIO NI MIERDA!
@juanka123 Hace más de 5 años +1
muy bueno el aporte pero te hago una pregunta para q se polariza un transistor ( en mi ignorancia es para q condusca I) si me respondes te lo voy agradecer
@Fernandulo Hace más de 4 años
LasmanosdePeron dijo:Resumido, eso es como mi politica de choripan social!!!!
gracias me re sirve


Creaste un user solamente para comentar esa chotada?
@5eba5 Hace más de 4 años
exelente... muy buen material...
mas tarde lo leo con dedicacion...
ahora a favs.. y tus 10!....
suerte!! segui asi..
@enzzing Hace más de 4 años
y si el beta de un bc448 no es 200 y es 500 por un grave error de fabricacion y se calculan las resistencias para 200 de beta.. que puede suceder? amplifica menos o mas? XD jajajaja bueno saldo la cuenta +10
@enzzing Hace más de 3 años -4
electronicaEscribir un comentario...
@rodrioto Hace más de 3 años
sabes por que la Vce de saturacion es de 0,30V?? digamos...a nivel electronico y de semiconductores.....gracias.....
@ozzyzigi Hace más de 3 años
Amigo esto si es inteligencia colectiva, por fin algo interesante
@kert89 Hace más de 3 años +3
+10 por resolverme una duda antes de un examen! gracias!
@RuoskaPSP Hace más de 2 años +1
hey sabes como calcular voltaje y corriente del transistor??
@davenlo Hace más de 1 año
mas largo q esperanza de pobre tu post, ni ganas de leer tanto
@FreddyA3 Hace más de 1 año
Me parece muy bueno para mi que estoy aprendiendo electrónica, quisiera saber cual es la razón para polarizar un transistor por base, por el emisor o por el colector. Lo que se conoce como base común, colector común o emisor común. De antemano te califico con mas 10. Saludos
@tati00001 Hace más de 1 año
buena publicacion lok
@Edgarnachas Hace más de 1 año
Gracias me ayudo
@R_P95 Hace más de 1 año
buena info
@tonydechucho Hace más de 11 meses
excelente muy buena info para estudiar !!!!!
@yhanus Hace más de 10 meses
buen articulo
@noble6_master Hace más de 9 meses
es muy buena información Gracias
@JoeCraked Hace más de 6 meses
Gracias teby
@Steiner Hace más de 5 meses +1
Maldita sea la Icq, jejejejeje
@plk87 Hace más de 3 meses
Es muchisima mas informacion de la ke buscaba, exelente aporte, seguro a otros les servira mas ke a mi. Recien estoy incurcionando en este tema y lo unico ke conozco es el 2n2222
@Marktonio Hace más de 3 meses
Ya no me acordaba de algunos detalles. Excelente repaso.