Hallan forma Viable de Reemplazar la Electrónica de Silicio Por la del Carbono

Eludiendo convencionalismos técnicos con décadas de antigüedad en la fabricación de los chips de ordenador, ingenieros de la Universidad de Princeton han desarrollado una nueva forma de reemplazar el silicio con carbono en superficies grandes, despejando el camino para las nuevas generaciones de teléfonos móviles, computadoras y otros equipos electrónicos que sean más rápidos y potentes que los actuales.

Llegó el reemplazo del Silicio: El Carbono
Nanotecnólogo de Princeton, el ing. Stephen Chou (izq.) con el estudiante graduado Xiaogan Liang, los desarrolladores de la tecnica práctica para usar el carbono en semiconductores

La industria de la electrónica ha llevado a su límite las capacidades del silicio, el material que forma el corazón de todo ordenador, y el carbono ha sido considerado como un reemplazo prometedor. En particular, un material denominado grafeno (una única capa de átomos de carbono colocados en una red plana) podría permitir a la electrónica procesar información y sostener transmisiones de radio 10 veces mejor que los dispositivos basados en el silicio.

Sin embargo, hasta ahora, cambiar del silicio al carbono no ha sido posible porque los expertos creían que necesitaban manejar el grafeno en la misma forma que el silicio para los chips: una oblea monocristalina de 20 ó 30 centímetros de diámetro. Las mayores hojas de grafeno monocristalino fabricadas hasta ahora han tenido un diámetro de un par de milímetros, por lo que no serían lo bastante grandes ni para un solo chip.


Stephen Chou, Xiaogan Liang y Zengli Fu comprendieron en el laboratorio que no se necesitaría una oblea grande siempre que pudieran colocar los pequeños cristales de grafeno sólo en las áreas activas del chip. Ellos desarrollaron un nuevo método para lograr este objetivo y lo han demostrado fabricando transistores de grafeno funcionales y de alto rendimiento.

A modo de ejemplo, han construido transistores sobre cristales de grafeno impresos. Estos transistores han demostrado un alto rendimiento: son 10 veces más rápidos que los transistores de silicio en el movimiento de los "huecos electrónicos", una medida importante de la velocidad.

La nueva tecnología podría encontrar una utilización casi inmediata en los teléfonos móviles y otros dispositivos inalámbricos que requieren un alto rendimiento de energía. Dependiendo del nivel de interés de la industria, la técnica podría aplicarse dentro de unos pocos años a diversos tipos de dispositivos de comunicación inalámbrica.


Fuente: http://www.amazings.com/ciencia/noticias/010208c.html
http://engineering.princeton.edu/news/graphene